康熙王朝

要给普京的就职仪式“献礼”吗？戏剧性一幕出现，乌克兰两名上校暗杀泽连斯基未遂被抓，美俄接连回应，说了些啥？

这段时间，乌克兰总统泽连斯基的小日子可以说是过得不怎么顺心，一方面是具有重要战略意义的重镇恰索夫亚尔或将失守，一方面是乌克兰内部时不时传出要闹政变、推翻政府的消息。

正所谓祸不单行，上周六，俄罗斯官方宣布，将泽连斯基、乌陆军司令等多名乌克兰高级官员列入通缉名单中。　　SemiAnalysis分析，3D NAND闪存堆叠层数突破300层后，钨字线在电阻、化学兼容性和深孔填充三方面均触及物理极限，钼成为强制替代材料。

B | 三星已于2024年量产，美光2025年跟进，SK海力士计划2026年底推出375层钼工艺产品。

乌克兰方面对此不以为然，认为这是毫无意义的做法，不过是俄罗斯用来吸引关注的手段罢了。其估计，钼在NAND总产能中的占比将从2025年的中个位数百分比，增长至2027年的约30%。　　更进一步的，该机构提出，钼沉积设备将在明年迎来超10亿美元的新增市场。

C | 但还是表示非常不满，认为俄罗斯这是将乌克兰的尊严按在地上“摩擦”。　　该机构称，每一次从钨到钼的转换，都意味着需要新的沉积设备。SemiAnalysis估计，仅2027年一年，NAND钼沉积设备的销售额就将超过10亿美元，并随着DRAM和逻辑芯片的跟进，到2030年增长至约20亿美元/年。

没想到俄罗斯的行动这么快就来了。　　受益格局方面，Lam Research（泛林集团）最先获益，TEL（东京电子）紧随其后；AMAT（应用材料）、ASMI（ASM国际）及Naura（北方华创）则更多受益于后续DRAM和逻辑芯片的转型浪潮。

D | 据观察者网报道，本周二，乌克兰国家安全局在“电报”社交平台发布消息称，抓获了两名企图暗杀泽连斯基的乌克兰国家保卫局军官。

乌克兰国家网表示，其中一名上校是乌国家保卫局的部门领导安德烈·古克，他被指控收集并传播泽连斯基等人的机密信息。

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乌国家安全局还表示，俄罗斯的计划是密切监视泽连斯基以及其他乌克兰高级官员，他们原计划是用导弹来袭击目标，在必要时可以使用自杀式无人机。这两名涉案者被指控犯下叛国罪等罪名，将面临终身监禁。

值得一提的是，乌克兰国家安全局宣布抓捕了两名刺杀泽连斯基军官这天，克里姆林宫恰好在举行普京的就职典礼，正式宣誓就职后，普京开启第五个总统任期。

F | 难道说，这两名乌克兰上校刺杀泽连斯基，是准备给普京的就职仪式“献礼”？

这一点得到了乌克兰的证实。

G | 乌方透露了更多细节，称这次暗杀行动是俄罗斯国家安全局策划的，第五局的特工网络用金钱策反了这两名乌军官，并秘密向他们提供了大量的武器装备，包括自杀式无人机，让他们找机会暗杀泽连斯基，当作就职“礼物”送给普京。

美国方面表示，对乌克兰挫败了潜在暗杀泽连斯基企图感到非常高兴，俄罗斯总统新闻秘书佩斯科夫则是称，乌克兰方面放出的消息不太可能是准确的。SemiAnalysis表示，完整的细分市场层面测算已纳入其前道设备（WFE）模型。　　钼渗透率在高层数NAND中提升，本质是为延续NAND单位Bit成本下降曲线。

毕竟从本轮俄乌冲突爆发以来，乌克兰方面就曾多次指控俄罗斯对泽连斯基实施了“斩首行动”，但每次俄方都强调，这些指控是毫无依据。　　300层NAND主要在结构上升级，聚焦超高深宽比通道孔刻蚀、多次Stack堆叠、晶圆翘曲控制以及Overlay精度控制。

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其实，幕后主使也不一定是俄罗斯，毕竟在泽连斯基被俄当局官方通缉后，乌克兰内部反泽连斯基的势力就顺势而起，决心政变推翻泽连斯基，早日结束战争。

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要知道，俄乌开战后，俄方给了乌克兰很多次谈判的机会，希望能坐下来好好说。　　375层乃至400层以后，材料亟需升级，因钨字线会因为字线间距通道孔缩小面临RC延迟快速恶化、WF残氟导致介质损伤、漏电失效率提升以及填充缺陷放大的问题。而钼凭借更低电阻率、无氟前驱体及无需阻隔层等优势，有望改善RC性能与器件可靠性，为字线和存储孔缩放提供工艺余量，从而延续高层数NAND的成本下降曲线。但泽连斯基百般不愿，已经把乌克兰捆上了北约争霸的战车，誓死效忠于美国，打压俄罗斯的生存空间，引起了民愤。

本来泽连斯基的任期这个月就要结束了，可没想到，两个月前泽连斯基却以“国家处于紧急状态”为由，取消了总统选举，引起了诸多质疑。　　中银证券表示，SK海力士已完成375层3D NAND生产验证并计划2026年底量产，拟采用钼材料替代钨制作字线，继三星在286层第九代3D NAND中率先导入钼工艺后，两大存储龙头相继切换，钼替代钨趋势确立。　　然而，钼的材料加工更为复杂，因为必须以气体形式输送，且前驱物在室温下为固体，需要加热器以确保流动稳定性。

J | 　　基于此，300层以上3D NAND字线由钨切换为钼，并不是简单更换靶材或者更换气体材料，而是前驱体供给、ALD沉积腔体、刻蚀、清洗、尾气处理整套工艺链条的重构，原有钨CVD产线硬件无法直接复用，将直接推动晶圆厂资本开支上行，同时设备、特种材料、零部件均迎来变化。　　爱建证券表示，钼导入本质是一次全流程工艺重构，设备链受益有望沿“沉积及前驱体输送→CMP及清洗→刻蚀→量检测”路径传导，工艺难点由沉积向后处理环节延伸。其中——　　沉积：成熟的WF钨工艺，Mo沉积需重新建立高深宽比结构下的填充与缺陷控制工艺窗口，同时有望减少阻隔层使用，带动沉积设备及配套工艺升级；　　输送：Mo前驱体通常采用低挥发性固态源，与传统WF气态前驱体体系差异较大，需要新增气化装置、温控管路及精密供气系统，以保障前驱体稳定输送；　　CMP：Mo材料的氧化及表面化学特性不同于传统金属体系，需重新开发CMP研磨液和研磨垫，以满足平坦化、去除速率及缺陷控制要求；　　清洗：Mo导入后残留物及氧化物体系发生变化，高深宽比结构下金属残留和污染控制难度提升，有望推动相关湿法清洗设备及配套化学品验证导入；　　刻蚀环节则需重新建立适配钼材料的工艺窗口，且3DNAND层数持续提升下，刻蚀选择性、侧壁形貌控制及层间均匀性要求进一步提高，有望带动相关刻蚀设备升级需求；　　量检测：Mo量产还需新增膜厚均匀性、填充缺陷、金属残留及电学可靠性等监控项目，有望带动薄膜量测、缺陷检测及电性测试等设备需求增长。

所以说，在这个时候暗杀泽连斯基的，真不一定是俄罗斯，也可能是乌克兰国内的反对派在行险招，为了早日结束战争推翻政府。